离子注入式半导体(Si)探头-针对阿尔法能谱测量

自1994年以来，SARAD公司致力于制造用于α/β能谱测量的离子深度注入硅探测器，作为OEM部件及应用于辐射测量仪器，SARAD公司的探测器已经进行了逾千次改良提升。

探测器的特点包括牢固设计、低本底、并且即使工作在低电压环境下依然具有优异的光谱性能；仅需10 V偏置电压，探测器即可将α粒子（最大10 MeV）的全部能量沉积在耗尽层内；特别为β粒子测量设计的BS型探头，其耗尽层深度可达500 µm。

所有型号既可在一般环境又可在真空条件下精确测量。 入射窗涂有用于保护探头的50 nm（V型）或500 nm（E型）超薄铝涂层，铝涂层更厚的E型探头特别适合于环境测量。

探测器采用Microdot接口（工业标准），保证了其具有与其它制造商仪器的良好兼容性，可选BNC和SMA接口型。